Si7370dp-T1-E3 MOSFET ν-CH 60V 9.6A PPAK έτσι-8 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Λεπτομέρειες:
Αριθμό μοντέλου: | SI7370DP-T1-E3 |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Συσκευασία λεπτομέρειες: | Ταινία και καρούλι (TR) |
---|---|
Χρόνος παράδοσης: | 1-2 εργάσιμες |
Όροι πληρωμής: | D/A, T/T, Western Union |
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): | 60V | Διαρροή ισχύος (Μέγ.): | 1,9 W (Ta) |
---|---|---|---|
Συσκευασία/περίπτωση: | PowerPAK® SO-8 | Τοποθετώντας τύπος: | Η επιφάνεια τοποθετεί |
Συσκευασία: | Ταινία και καρούλι (TR) | Πακέτο συσκευής προμηθευτή: | PowerPAK® SO-8 |
Περιγραφή προϊόντων
Μπορούμε να παρέχουμε si7370dp-T1-E3, να μας στείλει ένα απόσπασμα αιτήματος στο αίτημα si7370dp-T1-E3 pirce και τη χρονική ανοχή, το https://www.henkochips.com ένας επαγγελματικός διανομέας ηλεκτρονικών συστατικών. Με τη γραμμή 10+ εκατομμύριο τα στοιχεία των διαθέσιμων ηλεκτρονικών συστατικών μπορούν να στείλουν στη σύντομη χρονική ανοχή, πάνω από 250 χιλιάες αριθμοί μερών ηλεκτρονικών συστατικών στο απόθεμα για αμέσως την παράδοση, η οποία μπορεί να περιλάβει την τιμή και τη χρονική ανοχή αριθμού μερών SI7370DP-T1-E3.The για si7370dp-T1-E3 ανάλογα με την ποσότητα που απαιτούνται, τη διαθεσιμότητα και τη θέση αποθηκών εμπορευμάτων. Μας ελάτε σε επαφή με σήμερα και ο αντιπρόσωπος πωλήσεών μας θα παράσχει ότι διατιμάτε και η παράδοση στο μέρος SI7370DP-T1-E3.We ανυπομονεί να συνεργαστεί με σας για να καθιερώσει τις μακροπρόθεσμες σχέσεις της συνεργασίας
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: | 4V @ 250µA |
---|---|
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): | 6V, 10V |
Αμόλυβδη θέση/θέση RoHS: | Αμόλυβδος/RoHS υποχωρητικοί |
Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 60V 9.6A (TA) 1.9W (TA) η επιφάνεια τοποθετεί PowerPAK® έτσι-8 |
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: | - |
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (απεριόριστος) |
Τύπος FET: | N-Channel |
Σειρά: | TrenchFET® |
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: | 9.6A (TA) |
Άλλα ονόματα: | SI7370DP-T1-E3TR SI7370DPT1E3 |
Vgs (Max): | ±20V |
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: | 11 mOhm @ 12A, 10V |
Τεχνολογία: | MOSFET (μεταλλικό οξείδιο) |
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
Λειτουργούσα θερμοκρασία: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Κοινό πρόβλημα
Q: Πώς να ερευνήσουν/διαταγή si7370dp-T1-E3;
Α: Παρακαλώ χτυπήστε «παίρνει την καλύτερη τιμή» και χτυπά έπειτα «SUBMIT». Ζητήστε το απόσπασμα.
Q: Έρευνα/διαταγή si7370dp-T1-E3, πόσο καιρό μπορώ να πάρω μια απάντηση;
Α: Μετά από να λάβουμε τις πληροφορίες, θα σας έρθουμε σε επαφή με με ηλεκτρονικό ταχυδρομείο το συντομότερο δυνατό.
Q: Πώς να πληρώσει μετά από να διατάξει si7370dp-T1-E3;
Α: Δεχόμαστε T/T (καλώδιο τράπεζας), PayPal, Western Union.