• Si7370dp-T1-E3 MOSFET ν-CH 60V 9.6A PPAK έτσι-8 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
Si7370dp-T1-E3 MOSFET ν-CH 60V 9.6A PPAK έτσι-8 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Si7370dp-T1-E3 MOSFET ν-CH 60V 9.6A PPAK έτσι-8 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Λεπτομέρειες:

Αριθμό μοντέλου: SI7370DP-T1-E3

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Συσκευασία λεπτομέρειες: Ταινία και καρούλι (TR)
Χρόνος παράδοσης: 1-2 εργάσιμες
Όροι πληρωμής: D/A, T/T, Western Union
Πάρτε την αναφορά τώρα! Επικοινωνία

Λεπτομερής ενημέρωση

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V Διαρροή ισχύος (Μέγ.): 1,9 W (Ta)
Συσκευασία/περίπτωση: PowerPAK® SO-8 Τοποθετώντας τύπος: Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία: Ταινία και καρούλι (TR) Πακέτο συσκευής προμηθευτή: PowerPAK® SO-8

Περιγραφή προϊόντων

Μπορούμε να παρέχουμε si7370dp-T1-E3, να μας στείλει ένα απόσπασμα αιτήματος στο αίτημα si7370dp-T1-E3 pirce και τη χρονική ανοχή, το https://www.henkochips.com ένας επαγγελματικός διανομέας ηλεκτρονικών συστατικών. Με τη γραμμή 10+ εκατομμύριο τα στοιχεία των διαθέσιμων ηλεκτρονικών συστατικών μπορούν να στείλουν στη σύντομη χρονική ανοχή, πάνω από 250 χιλιάες αριθμοί μερών ηλεκτρονικών συστατικών στο απόθεμα για αμέσως την παράδοση, η οποία μπορεί να περιλάβει την τιμή και τη χρονική ανοχή αριθμού μερών SI7370DP-T1-E3.The για si7370dp-T1-E3 ανάλογα με την ποσότητα που απαιτούνται, τη διαθεσιμότητα και τη θέση αποθηκών εμπορευμάτων. Μας ελάτε σε επαφή με σήμερα και ο αντιπρόσωπος πωλήσεών μας θα παράσχει ότι διατιμάτε και η παράδοση στο μέρος SI7370DP-T1-E3.We ανυπομονεί να συνεργαστεί με σας για να καθιερώσει τις μακροπρόθεσμες σχέσεις της συνεργασίας

 

Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: 4V @ 250µA
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): 6V, 10V
Αμόλυβδη θέση/θέση RoHS: Αμόλυβδος/RoHS υποχωρητικοί
Λεπτομερής περιγραφή: N-Channel 60V 9.6A (TA) 1.9W (TA) η επιφάνεια τοποθετεί PowerPAK® έτσι-8
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: -
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): 1 (απεριόριστος)
Τύπος FET: N-Channel
Σειρά: TrenchFET®
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: 9.6A (TA)
Άλλα ονόματα: SI7370DP-T1-E3TR SI7370DPT1E3
Vgs (Max): ±20V
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V
Τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V
Λειτουργούσα θερμοκρασία: -55°C ~ 150°C (TJ)

Κοινό πρόβλημα

Είμαστε δεσμευμένοι στην παροχή των πελατών τα υψηλής ποιότητας προϊόντα και των υπηρεσιών.
Q: Πώς να ερευνήσουν/διαταγή si7370dp-T1-E3;
Α: Παρακαλώ χτυπήστε «παίρνει την καλύτερη τιμή» και χτυπά έπειτα «SUBMIT». Ζητήστε το απόσπασμα.
Q: Έρευνα/διαταγή si7370dp-T1-E3, πόσο καιρό μπορώ να πάρω μια απάντηση;
Α: Μετά από να λάβουμε τις πληροφορίες, θα σας έρθουμε σε επαφή με με ηλεκτρονικό ταχυδρομείο το συντομότερο δυνατό.
Q: Πώς να πληρώσει μετά από να διατάξει si7370dp-T1-E3;
Α: Δεχόμαστε T/T (καλώδιο τράπεζας), PayPal, Western Union.

Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν
Ik ben geïnteresseerd Si7370dp-T1-E3 MOSFET ν-CH 60V 9.6A PPAK έτσι-8 ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θα μπορούσατε να μου στείλετε περισσότερες λεπτομέρειες όπως τύπος, μέγεθος, ποσότητα, υλικό κ.λπ.
Ευχαριστώ!
Wachten op je antwoord.